一、基本情况
陈介煜，男，1989年10月，汉族，博士，讲师, 现就职于理学院物理系。
二、研究方向
1. 介电储能; 2. 电卡制冷 3. 磁电功能材料
三、教育背景
1. 2016年9月-2019年12月 内蒙古大学物理学专业，获得理学博士学位；
2. 2013年9月-2016年7月 内蒙古大学物理学专业，获得理学硕士学位;
3. 2008年9月-2012年7月 内蒙古民族大学应用物理专业，获理学学士学位;
四、发表论文（代表作5篇）
1. Chen J.Y., Tang Z.H., Yang B., Zhao. S.F.* Ultra-high energy storage performances regulated by depletion region engineering sensitive to the electric field in PNP-type relaxor ferroelectric heterostructural films. J. Mater. Chem. A 2020; 8: 8010-8019.
2. Chen J.Y., Tang Z.H., Yang B., Zhao. S.F.* High energy storage performances in lead-free BaBi3.9Pr0.1Ti4O15 relaxor ferroelectric films. Appl. Phys. Lett. 2018; 113: 153904.
3. Tang Z.H.#, Chen J.Y.#, Yang B., Zhang M., Cao T.S., Zhou Y.P., Zhao. S.F.* Ultrahigh Energy Storage Performances Induced by Weaker La-O Orbital Hybridization in (Na0.85K0.15) Bi-0.5(4.5)-xLaxTi4O15 Relaxor Ferroelectric Films. J. Phys. Chem. C 2021:125:4986-4994.
4. Chen J.Y., Tang Z.H., Zhao. S.F.* Giant Negative and Positive Electrocaloric Effects Coexisting in Lead-Free Na0.5Bi4.5Ti4O15 Films Over a Broad Temperature Range. Phys. Status Solidi RRL 2018; 12: 1700443.
5. Chen J.Y., Bai Y.L., Nie C.H., Zhao. S.F.* Strong magnetoelectric effect of Bi4Ti3O12/Bi5Ti3FeO15 composite films J. Alloys Compd. 2016; 663: 480-486.
五、授权专利及软著：
1. 赵世峰，白玉龙，陈介煜 著，《无铅基铋系钙钛矿铁性薄膜》，科学出版社，363千字，ISBN: 978-7-03-055664-6, 2018年3月。
2. 中国发明专利：铁电薄膜光伏效应的调控方法、铁电薄膜和太阳能电池，已经授权, 赵世峰，白玉龙，陈介煜, 唐哲红，专利号：ZL 201610465599.5
3. 中国发明专利：一种赝1-3结构的强磁电复合薄膜的制备方法，已经授权赵世峰，白玉龙，邬新，陈介煜，专利号：ZL201610502866.1
六、科研项目（近5年作为项目负责人的科研项目）
1.主持 内蒙古工业大学校基金（自然重点），资助号ZZ202003，科研经费5万元，起止时间：2020.01-2023.12。
2.主持 内蒙古工业大学大学人才科研启动基金，资助号BS2020027，科研经费10万元，起止时间：2020.01-2023.12。
联系方式：内蒙古工业大学理学院（实验楼612）
E-mail：jisticfdom@163.com
